Zolltarifnummer 9031.41.00: Instrumente, zum Prüfen von Halbleiterscheiben (wafers) oder Halbleiterbauelementen…

Een zogenoemde laser-geproduceerd plasma (LLP) EUV-bron, zijnde een optisch werkende machine met een bron gebaseerd op door een laser geproduceerd plasma (LPP) voor het verkrijgen van extreem ultraviolet licht (EUV) met onder andere de volgende samenstelling en kenmerken: - voor het belichten van de lichtgevoelige waferlaag voor inspecties van masker en oppervlakken, patroonmaskerinspecties (PMI), gebiedsmaskerinspecties (AIMS), blanco maskerinspecties (MBI), wafer-inspectie en EUV optiekelementen-inspectie; - bestaande uit 2 functionele eenheden, een optisch- en hulpeenheid; - de optische eenheid is omsloten door een behuizing van panelen van onedel metaal met elektrische vergrendeling en voorzien van: - - lagermodule met draaiende schijf die snel kan ronddraaien als doel voor een gerichte laserstraal; - - vacuümkamer waarin de schijf ronddraait, bestaat uit 2 delen de onder- en bovenkant die zijn onderling verbonden door een kegelvormige behuizing voor de uitvoer van EUV-straling, omvat de volgende flenzen en hulpstukken: • turbomoleculaire pompleiding; • omleiding tussen de onder- en bovenkant; • een invoer van de laserstraling; • een uitvoer van EUV-straling; • aansluiting van de inductor van het verwarmingssysteem op de elektrische voeding; • een toevoer voor waterkoeling van de lagerbehuizing; • middelen voor het diagnosticeren van de parameters van het hulpmiddel zoals EUV-straling, druk, en temperatuur; • een toegevoegde werkstof van vloeibare tinlegering; - - tindoseringsmodule; - - inductieverwarmingssysteem voor contactloze verwarming van de draaiende schijf; - - laser met een golflengte van 1 064 nm van klasse 4 en een pulsduur van 1 ns ± 0.5 ns; - - optische module bestaat uit: • 6 spiegels met antireflectiecoatings bij de lasergolflengte; • 3 lenzen; • lichtbundelsplitter; • variabele bundelexpander met een vergroting van 2 × — 8 × bij 1 064 nm, die de laserbundel uitbreidt van een begindiameter van 3 mm tot 20 mm; • fotodiodesensor voor laserstraling; - - optiekbeschermingssysteem, inclusief gas (argon) tegenstroomsysteem, magneten en CNT koolstofnanobuis-membranen; - - vacuümflens voor het aansluiten van de lichtbron op het optische schema van de machine; - - sensoren voor de systeemstatus; - - met een afmeting van 822 x 820 x 1510 mm en een gewicht van 470 kg; - de hulpeenheid bevat een behuizing van onedel metaal met deuren, ondersteunings- en besturingssystemen voor de optische eenheid en is voorzien van; - - turbo-en rugpomp voor vacuümsystemen dat vacuüm vasthoudt in de vacuümkamer van de optische units; - - waterkoeler voor de optische eenheden waarin water circuleert in een gesloten circuit; - - waterkoeler voor de laser afzonderlijk; - - gassysteem in de drukregelaars voor het optiekbeschermingssysteem, gebaseerd op argon-tegenstroom; - - elektrisch paneel; - - bedieningspaneel; - - met een afmeting van 1034 x 651 x 1918 mm en een gewicht van 490 kg; - gebruikt als bron een snel roterend doel van vloeibaar metaal; - werkt met een extreem ultraviolette lichtbron; - het maximaal vermogen van de laser is 400 Watt; - een ruimtehoek van 0,05 sr; - een puls-herhalingsfrequentie van 0-90 kHz; - een plasmagrootte van 60 μm; - gebruikt een vermogen van 11 kW.

"Ellipsometer", im Wesentlichen bestehend aus einem Gerätesystem (funktionelle Einheit) aus der Optikeinheit mit mehreren Lasern, Prisma, Fotodetektor, Kopplungskopf und Drehtisch, über Kabel verbunden mit der Prismenkoppler-Bedieneinheit, einer Temperaturkontrolleinheit, einem PC, einem Monitor, einer Schnittstelle und ggfs. einem Drucker. Die zu messende Probe wird mithilfe eines pneumatisch betriebenen Kupplungskopfes mit der Basis eines Prismas in Kontakt gebracht, wodurch ein kleiner Luftspalt zwischen dem Film und dem Prisma entsteht. Ein Laserstrahl trifft auf die Basis des Prismas und wird an der Prismenbasis vollständig auf einen Fotodetektor reflektiert. Bei bestimmten diskreten Werten des Einfallswinkels (Moduswinkel) können Photonen über den Luftspalt in den Film tunneln und in einen geführten optischen Ausbreitungsmodus eintreten, wodurch die Intensität des Lichts, das den Detektor erreicht, stark abfällt. Das Gerät dient zur Messung und Analyse planarer Dünnfilmschichten (Dicke, Brechungsindex) von Halbleiterscheiben (Wafern). Zur äußeren Form siehe Abbildung in Anlage. Die Ware wird als "optisches Gerät zum Messen oder Prüfen, in Kapitel 90 anderweit weder genannt noch inbegriffen, anderes als Unterposition (KN) 9031 1000 bis 90312000, zum Prüfen von Halbleiterscheiben (wafers) oder Halbleiterbauelementen oder zum Prüfen von Fotomasken und Reticles für die Herstellung von Halbleiterbauelementen" eingereiht.

Een zogenoemde laser-geproduceerd plasma (LLP) EUV-bron, zijnde een optisch werkende machine met een bron gebaseerd op door een laser geproduceerd plasma (LPP) voor het verkrijgen van extreem ultraviolet licht (EUV): - voor het belichten van de lichtgevoelige waferlaag voor inspecties van masker en oppervlakken, patroonmaskerinspecties (PMI), gebiedsmaskerinspecties (AIMS), blanco maskerinspecties (MBI), materiaal wetenschap en wafer inspectie; - een verrijdbare behuizing met een bovenzijde van platen onedel metaal, waarop zich onder andere de laser bevindt die een extreem ultraviolet licht produceert; - gebruikt als bron een snel roterend doel van vloeibaar metaal; - het gemiddelde vermogen van de laser is 100, 200 of 400 Watt; - een ruimtehoek van 0,05 sr; - een pulsherhalingsfrequentie 25 kHz, 40 kHz, 50 kHz, 100 kHz, 135 kHz of 200 kHz; - een plasmagrootte die kleiner of gelijk dan 40 µm, 45µm of 60 µm; - gebruikt een vermogen van 6,5 kW, 8,5 kW of 10,5 kW; - afmetingen van 1500 x 1000 x 1200 mm en een gewicht van 770 kg.

Optisches System zur Inspektion von Halbleiterscheiben (wafers) in verschiedenen Ausführungen, im Wesentlichen jeweils bestehend aus einem Gehäuse mit einem Beladeroboter, einer XY- Ausrichte- und Verfahreinheit für die Wafer, einer Kamera mit Objektivrevolver, einer optischen Einheit zum Auslesen der Wafer-ID sowie einer Auswerte- und Bedieneinheit mit Monitor (siehe beispielhafte Abbildung in der Anlage). Das System dient der automatischen Inspektion durch Vergleich mit einem Gutteil und je nach Ausführung der 2D- oder 3D-Vermessung von Halbleiterscheiben, wie z. B. Vermessung der Lötkugeln (bump). Das Gerät wird als "optisches Gerät zum Prüfen von Halbleiterscheiben (wafers), in Kapitel 90 anderweit weder genannt noch inbegriffen, nicht von den Unterpositionen (KN) 9031 1000 bis 9031 2000 erfasst" eingereiht.

THE PRODUCT IS A 32-POSITION TURRET PLATFORM FOR INTEGRATED CIRCUIT (IC.) THE PRODUCT IS DESIGNED SPECICALLY FOR TESTING AND OPTICAL INSPECTION. THE INTEGRATION PROCESS ENABLES THE EQUIPMENT TO PERFORM EXTENDED AUTONOMOUS OPERATIONS. THE TURRET HANDLER IS ABLE TO PERFORM EXTENSIVE OPTICAL INSPECTIONS BUT DOES NOT PERFORM ELECTRICAL TESTING WITHOUT THE CONNECTION TO AN EXTERNAL DEVICE. THE SYSTEM STARTS OPERATION WITH THE INPUT OF EITHER 30 THIN JEDEC OR 20 THICK JEDEC TRAYS OF UNTESTED INTEGRATED CIRCUITS WHICH ARE LOADED INTO THE TESTING SEQUENCE AUTOMATICALLY BY THE FRONT-LOADING HANDLER MODULE. FOLLOWING A PASS STATUS OF THE MARKING INSPECTION SEQUENCE ALL PARTS ARE THEN ABLE TO PROCEED TO THE 2D INSPECTION WHICH CONDUCTS MEASUREMENT CHECKS ON PAD PITCH, WIDTH, LENGTH, GRID POSITION, OFFSET, AND BRIDGE AS WELL AS A 2D BODY MEASUREMENT INSPECTION OF PART BODY WIDTH AND LENGTH. DIMENSIONS SIZE VARIES 2 X 2 TO 12 X 12MM. WITH THE USE OF HIGH-RESOLUTION INTEGRATED COLOUR CAMERAS WITH AN OPTIMIZED LIGHTING SYSTEM WHICH CAN IDENTIFY APPEARANCE DEFECTS OF THE PRODUCT INCLUDING OVERFLOW OR DAMAGE TO THE SUBSTRATE, CHIPS, VOIDS, BLISTERED SURFACES, SCRATCHES, CRACKS, AND THE PRESENCE OF FOREIGN MATERIAL. THE OPTICAL MODULE'S CAMERA SYSTEM INCLUDES GIGE CAMERAS FROM VGA (640 X 480 PIXEL) UP TO 5MP (2448 X 2046 PIXEL). THE ELECTRICAL PERFORMANCE TEST STATION IS RESERVED AND CAN SUPPORT A SPECIFICALLY BUILT-IN COMMUNICATION PROTOCOL. IT CAN BE DIRECTLY CONNECTED TO EXTERNAL TEST EQUIPMENT SUCH AS A NETWORK ANALYZER TO CARRY OUT ELECTRICAL PERFORMANCE TESTING; THE INDICATORS INCLUDE RADIO FREQUENCY PERFORMANCE, THROUGHOUT ALL OF THE TESTING PROCESSES.

Waferinspektionssystem, so genannter MX2000IR, im Wesentlichen bestehend aus einem ca. 1813 mm x 1320 mm x 1803 mm (B x T x H) großen System mit Sensorkopf mit Infrarotlichtquelle und Wafer-Zuführung. Das Inspektionssystem wird mit Hilfe eines Roboters automatisch beladen. Der Wafer wird während der Inspektion von der Infrarotlichtquelle beleuchtet. Die mit der CCD-Kamera aufgenommenen Bilddaten werden an den integrierten Monitor übermittelt. Mit dem Gerät werden Fehler bei der Waferherstellung, wie z.B. fehlender Dichtungskleber oder Fehler in der Unterfüllung überprüft. Abbildung: siehe Anlage Die Ware wird als "optisches Gerät zum Prüfen von Halbleiterscheiben (wafers), in Kap. 90 anderweit weder genannt noch inbegriffen" eingereiht.

Waferinspektionssystem, so genannter MX100IR, im Wesentlichen bestehend aus einem ca. 540 mm x 810 mm x 940 mm (B x T x H) großen System mit Sensorkopf mit Infrarotlichtquelle und Kamera, Wafer-Chuck und Verfahreinheit. Das Inspektionssystem wird manuell über den Wafer-Chuck beladen. Der Wafer-Chuck nimmt das Bauteil auf und klemmt es während der Inspektion ein. Das Bauteil wird von der Zwei-Achs-Verfahreinheit positioniert. Während der Inspektion wird der Wafer von der Infrarotlichtquelle von unten oder von oben beleuchtet. Die mit der CCD-Kamera aufgenommenen Bilddaten werden zur Analyse an einen Systemrechner (nicht Gegenstand dieser vZTA) übermittelt. Abbildung: siehe Anlage Die Ware wird als "optisches Gerät zum Prüfen von Halbleiterscheiben (wafers), in Kap. 90 anderweit weder genannt noch inbegriffen" eingereiht.

Optisches Gerät zum Prüfen von Halbleiterscheiben (wafers), in Kap 90 anderweit weder genannt noch inbegriffen, so genanntes Metrology Sorter System MSS3000, im Wesentlichen bestehend aus einer 5.800 x 1.400 x 2.300 mm großen Stahlrahmenkonstruktion in der sich die Prüf- und Sortierstrecke mit Kameras und Lasern befindet. Das System überprüft und misst wafers u.a. hinsichtlich der Geometrie (Breite, Länge, Winkel), Randausbrüchen, Kantendefekten, Löchern, Verschmutzungen und Dickenabweichungen und sortiert sie entsprechend aus.